第一顆55納米智能卡芯片在深圳華大誕生

中芯國際集成電路制造有限公司與北京中電華達電子設計有限公司（華達電子）共同宣布，華達電子推出了中國首款55納米智能卡芯片，采用中芯國際55納米低功耗（LL）嵌入式閃存（eFlash）該平臺具有尺寸小、功耗低、性能高的特點，已實現量產供應，其優異的性能得到了客戶的廣泛認可。

中芯國際55納米低功耗嵌入式閃存平臺，為智能卡芯片客戶提供高性能、低成本的解決方案。該平臺具有完全的邏輯兼容性，所有1.2V邏輯庫IP這個嵌入式平臺可以使用；邏輯電壓較低的1.2V核心設備可以最大限度地降低芯片功耗，提高產品性能；銅工藝在后期使用。由于銅的電遷移性能可以提高電阻，現有設計可以采用更高的電流密度，創造更好的性能和可靠性；芯片面積大大降低，較小的尺寸使大型閃存應用成為可能；隨著閃存單元的不斷減少，芯片面積將進一步優化，以實現成本效益。目前，該技術平臺已通過產品可靠性測試，能夠滿足標準智能卡的應用需求。目前，該技術平臺已通過產品可靠性測試，以滿足標準智能卡的應用需求。基于該平臺，華達電子成功地將中國第一款基于55納米先進技術的智能卡芯片推向了市場。

華大電子一直致力于探索基于55納米工藝的模擬電路設計技術和系統設置的新技術和新應用

中芯國際一直專注于為客戶提供差異化的產品和高質量的制造服務，并以先進的技術提供高度集成的平臺和高效的解決方案，以更好地滿足客戶的需求。” 中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士說：華達電子是中國智能卡芯片技術的推動者。我們很高興成為我們的合作伙伴，并幫助它推出領先的智能卡芯片產品。目前，中國智能卡市場發展迅速。中芯國際將繼續深化與華達電子的合作，共同開拓市場，幫助客戶以先進的技術平臺和完善的服務贏得更多的市場份額。”